我国科研团队在二维半导体领域取得新进展

　　据新华社南京1月30日电（记者 陈席元） 随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。

　　王欣然介绍，二硫化钼电学性能优异，但想替代硅基材料并不容易。作为后来者，二硫化钼需适应现有半导体产线的成熟工艺，也就是金属有机化学气相沉积技术。

　　“在气相沉积过程中，金属有机前驱体受热分解，反应产物附着在衬底表面，形成二硫化钼薄膜。”李涛涛说，然而，传统的金属有机化学气相沉积技术受反应动力学限制，不仅薄膜生长速率慢，而且前驱体在分解时会产生含碳杂质，严重影响薄膜质量。

　　为解决这些难题，团队经多年研究，提出引入氧气辅助，让氧气在高温环境下与前驱体中的碳元素相结合，减少碳污染。按照该思路，团队试制了6英寸二硫化钼薄膜，实验结果显示，薄膜生长速率较传统方法提升两到三个数量级。